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动态存储 dynamic storage英语短句 例句大全

时间:2024-03-12 13:55:35

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动态存储,dynamic storage

1)dynamic storage动态存储

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英文短句/例句

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11.dynamic random access memory动态随机访问存储器

12.dynamic tape and memory dump routine动态磁带与存储器转储程序

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相关短句/例句

DRAM动态存储器

1.In this paper, the first-in-first-out(FIFO) circuit design for the PCI-Express interface is proposed,which is based on the dynamic access memory (DRAM) core with the 0.18μm标准CMOS工艺实现的基于动态存储器(DRAM)内核的高速大容量先入先出存储器(FIFO)电路及其版图设计。

2.DRAM is an important memory device,the application of FPGA is quite extensive in the area of hardware design.动态存储器(DRAM)是重要的存储器件,现场可编程门阵列(FPGA)在计算机硬件设计领域的应用也十分广泛。

3)dynamical storage动态预存储

1.In this paper, the structure of a kind of video surveillance system used in industry and therelative technologies such asdynamical storage and IP multicast is introduced briefly.介绍了一种应用于工业生产的视频监控系统的系统结构,以及系统中采用的动态预存储和IP组播等相关技术,并给出了一种动态存储的实现方法。

4)dynamic memory动态存储器

1.Design ofdynamic memory in data acquisition of nuclear medicine;核医学数据获取动态存储器的设计

5)SDRAM动态存储器

1.Based on 60MHz intermediate - frequency signal of weather radar , by using the technology of A/D undersampling , digital- direct synthesizing sampling clock, puttingSDRAM as large- scale buffer and 64 bits PCI bus as high- speed transfer ,the paper has r.本文针对天气雷达60MHz中频信号,通过应用A/D欠采样技术、数字直接合成采样时钟、以动态存储器(SDRAM)为大容量缓存、64位PCI总线为高速传输,实现了中频数据采集和传输;文中详细介绍了这些关键技术的设计。

6)dynamic memory area动态存储区

延伸阅读

动态随机存取存储器芯片动态随机存取存储器芯片dynamic random access memory chip,DRAM丽爪厂-.亡再再—A一A饭二加肋姗娜再生地址丽爪厂几一J一-骊一一一几..…厂一~A0一Al二厂一1川功功留 行地址列地址(a)图4(a)仅豆丽方式; (b)(e)DRAM的别新方式(b)亡丽在前方式;(c)隐含方式出数据有效的时间。目前有120,100,70,60ns等种类,在DRAM产品上分别用一12,一10,一7,一6表示。实际使用时列地址读出时间t优也很重要,它是由石店下降边到读出数据有效的时间,通常为40ns一ZOns。由于列选读出时间比行选读出时间小得多,而行选工作时,选中行线所有单元存储的数据均输出到列数据寄存器;因此】〕RAM可以选择快速工作方式,即在瓦骊变为低后,连续访问已选中行的不同列的存储单元。在快速工作方式下同样可有读出、写入和读一改写操作。有三种快速工作方式,即页面方式、半字节方式、列静态方式,最常用的是页面工作方式。(1)页面方式豆后为低时,石店连续输人页脉冲。用〔骊污下降边锁存由地址线输人的不同的列地址,从而访问同一行地址、不同列地址的存储单元。由于不需每次访问都由豆入弓变低开始,因而后面的访问读出时间和周期可大大缩短。(2)半字节方式豆丽为低时,第一个硕丽下降边锁存由地址线输人的第一个列地址。以后的三个亡丽下降边锁存内部自动加一的列地址。这样可快速访问行地址相同、四个列地址连续的存储单兀。(3)列静态方式当瓦店为低时,石店的下降边锁存第一个列地址,读出其数据(或进行其它操作),然后厄丽和瓦活维持低电平。通过改变地址线输人的列地址来改变要访间的存储单元,这时的控制类似于.态随机存取存储器芯片的操作。初期的1〕RAM是PMC6工艺制作的,但广泛使用的是NMC6和CMC6DRAM。由于静态功耗的限制,NMC61〕RAM目前只做到256 kb。随着CNI(万微细加工技术的高度发展,CMC6DRAM已达到64 Mb。NMG6I)R AM 256kb芯片的静止功耗约为25inw,而ChKE】〕RAM256kb到16Mb芯片均不大于5.5n1w。这两种工艺的工作功耗均为400 n1w左右。微细加工技术的发展,不仅使I)RAM的容量不断加大,访问时间加快,而且在结构上出现了各种不同的字长。初期DRAM的字长仅1位,输人数据与输出数据用两个管脚,后来增加到4位字长。容量提高到IMb以上的DR人M又增加到8位和16位字长。例如对4Mbl)R AM,结构上有4MI〕xl,IML〕x4,512kbX8,256kbX16等不同字长。这样,可用最少量的芯片满足各种系统对存储容量的不同需求。

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  1. 星城﹌☆﹌虎啸2024-03-12 14:20星城﹌☆﹌虎啸[西藏网友]202.41.152.131
    我平时就喜欢用动态存储的方式学习新的英语短句,感觉记忆效果很不错呢!
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  2. 那抹、微笑ㄨ败给你的高傲2024-03-12 14:07那抹、微笑ㄨ败给你的高傲[广东省网友]203.10.56.42
    这个网站的动态存储和例句资源真的很丰富,对学习英语的人来说非常有帮助!
    顶0踩0
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